TW015Z120C,S1F シングルFET、MOSFET

部品ナンバー：

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TW015Z120C,S1F

シングルFET、MOSFET

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

チューブ

価格:

$55.1970

在庫: 98

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総額

$55.1970

$48.5010

$1,455.0300

120

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製品の詳細

TW015Z120C,S1F

部品ナンバー：

製品カテゴリ：

メーカー：

タイプ：

パッケージ：

包装する：

数量：

RoHS状態：

仕様書：

TW015Z120C,S1F

シングルFET、MOSFET

G3 1200V SIC-MO

シングルFET、MOSFET

チューブ

仕様書

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ	-
パッケージ	チューブ
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-247-4
取付タイプ	Through Hole
動作温度	175°C
テクノロジー	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	21mOhm @ 50A, 18V
消費電力(最大)	431W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	5V @ 11.7mA
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-247-4L(X)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	18V
Vgs (最大)	+25V, -10V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	1200 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	158 nC @ 18 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	6000 pF @ 800 V