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RoHS状態
SIHB6N80AE-GE3
シングルFET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
-
チューブ
1040
価格:
$1.4400
在庫: 1040
総数

数量

価格

総額

1

$1.7910

$1.7910

50

$1.4400

$72.0000

100

$1.1880

$118.8000

500

$0.9990

$499.5000

1000

$0.8550

$855.0000

2000

$0.8100

$1,620.0000

5000

$0.7740

$3,870.0000

10000

$0.7560

$7,560.0000

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製品の詳細
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SIHB6N80AE-GE3
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RoHS状態
仕様書
SIHB6N80AE-GE3
シングルFET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
シングルFET、MOSFET
チューブ
1040 
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Vishay / Siliconix
シリーズE
パッケージチューブ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs950mOhm @ 2A, 10V
消費電力(最大)62.5W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージTO-263 (D2PAK)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Vgs (最大)±30V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)800 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs22.5 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds422 pF @ 100 V
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