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RD-100
フォトダイオード
OSI Optoelectronics
SENSOR PHOTODIODE 950NM
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製品の詳細
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仕様書
RD-100
フォトダイオード
OSI Optoelectronics
SENSOR PHOTODIO
フォトダイオード
場合
1
製品パラメータ
タイプ説明
製造元OSI Optoelectronics
シリーズ-
パッケージ場合
製品の状態ACTIVE
波長950nm
取付タイプThrough Hole
動作温度-20°C ~ 60°C
反応時間40ns
応答性 @ nm0.6 A/W @ 900nm
アクティブエリア100mm²
電流 - ダーク (タイプ)2nA
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