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GPI65008DF56
シングルFET、MOSFET
GaNPower
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
-
テープ&リール(TR)
100
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$3.6000
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製品の詳細
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仕様書
GPI65008DF56
シングルFET、MOSFET
GaNPower
GANFET N-CH 65
シングルFET、MOSFET
テープ&リール(TR)
100 
-
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元GaNPower
シリーズ-
パッケージテープ&リール(TR)
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースDie
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C8A
Vgs(th) (最大) @ ID1.4V @ 3.5mA
サプライヤーデバイスパッケージDie
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)6V
Vgs (最大)+7.5V, -12V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs2.1 nC @ 6 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds63 pF @ 400 V
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