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FBG30N04CC
シングルFET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
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製品の詳細
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FBG30N04CC
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仕様書
FBG30N04CC
シングルFET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 30
シングルFET、MOSFET
バルク
-
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元EPC Space
シリーズ-
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース4-SMD, No Lead
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID2.8V @ 600µA
サプライヤーデバイスパッケージ4-SMD
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
Vgs (最大)+6V, -4V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)300 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs2.6 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds450 pF @ 150 V
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