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EPC7018DC
FET、MOSFETアレイ
EPC Space
GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD
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$290.0610
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製品の詳細
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EPC7018DC
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仕様書
EPC7018DC
FET、MOSFETアレイ
EPC Space
GAN FET HEMT 10
FET、MOSFETアレイ
バルク
100 
-
製品パラメータ
タイプ説明
製造元EPC Space
シリーズeGaN®
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース4-SMD, No Lead
取付タイプSurface Mount
構成2 N-Channel (Half Bridge)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C70A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1700pF @ 50V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs6.5mOhm @ 70A, 5V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs17nC @ 5V
Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 5mA
サプライヤーデバイスパッケージ4-SMD
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