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BY25Q128ASWIG(R)
メモリ
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
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テープ&リール(TR)
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製品の詳細
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BY25Q128ASWIG(R)
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仕様書
BY25Q128ASWIG(R)
メモリ
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
メモリ
テープ&リール(TR)
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元BYTe Semiconductor
シリーズ-
パッケージテープ&リール(TR)
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース8-WDFN Exposed Pad
取付タイプSurface Mount
メモリー容量128Mbit
メモリの種類Non-Volatile
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
電圧 - 電源2.7V ~ 3.6V
テクノロジーFLASH - NOR (SLC)
クロック周波数108 MHz
メモリフォーマットFLASH
サプライヤーデバイスパッケージ8-WSON (5x6)
書き込みサイクル タイム - ワード、ページ50µs, 2.4ms
メモリインターフェースSPI - Quad I/O
アクセス時間7 ns
記憶の構成16M x 8
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